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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Revision: 15-Jun-10
MBR(F,B)2535CT thru MBR(F,B)2560CT
Vishay General Semiconductor
Note
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
Note
(1)
AEC-Q101 qualified
Operating junction temperature range TJ
- 65 to + 150
°C
Storage temperature range TSTG
- 65 to + 175
Isolation voltage (ITO-220AB only)
from terminal to heatsink t = 1 min
VAC
1500 V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL MBR2535CT MBR2545CT MBR2550CT MBR2560CT UNIT
Maximum instantaneous
forward voltage per diode
IF
= 15 A
TC
= 25 °C
VF
(1)
= 25 °C 0.82 -
-0.75
V
TC
= 125 °C - 0.65
IF
= 30 A
TC
TC
= 125 °C 0.73 -
Maximum instantaneous
reverse current at blocking
voltage per diode
TC
= 25 °C
IR
(1)
= 125 °C 40 50
0.2 1.0
mA
TC
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL MBR MBRF MBRB UNIT
Typical thermal resistance from junction to case per diode RθJC
1.5 4.5 1.5 °C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB MBR2545CT-E3/45 1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB MBRF2545CT-E3/45 1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB2545CT-E3/45 1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB2545CT-E3/81 1.35 81 800/reel Tape and reel
TO-220AB MBR2545CT-E3/4W 1.85 4W 50/tube Tube
TO-220AB MBR2545CTHE3/45 (1)
1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB MBRF2545CTHE3/45 (1)
1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB2545CTHE3/45 (1)
1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB2545CTHE3/81 (1)
1.35 81 800/reel Tape and reel
MAXIMUM RATINGS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL MBR2535CT MBR2545CT MBR2550CT MBR2560CT UNIT
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MBRB2545CTT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier